[发明专利]一种红外透明导电薄膜、及其制备方法和用途在审

专利信息
申请号: 201910328776.9 申请日: 2019-04-23
公开(公告)号: CN109872835A 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 孙小卫;王恺;张楠;丁时浩;徐冰 申请(专利权)人: 深圳扑浪创新科技有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/02;H01B1/08;H01B13/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区布吉街道甘李*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种红外透明导电薄膜、及其制备方法和用途。所述红外透明导电薄膜包括衬底和依次设置于所述衬底上的种子层和导电层;所述种子层为具有方铁锰矿体心立方晶体结构的材料;所述导电层为氧化铟掺杂第IIIB族化合物。本发明采用具有方铁锰矿体心立方晶体结构的材料作为种子层,采用氧化铟掺杂第IIIB族化合物作为导电层,因该种子层的晶体结构与氧化铟的晶体结构相同,进而得到的红外透明导电薄膜良好的光电性能,相对于现有技术中采用金属网栅和ITO膜网栅,具有薄膜硬度高、附着力强、红外透过率高等优势。
搜索关键词: 透明导电薄膜 种子层 导电层 氧化铟 体心立方晶体结构 方铁锰矿 晶体结构 衬底 制备 掺杂 薄膜硬度 附着力强 光电性能 金属网栅 依次设置 透过率 网栅
【主权项】:
1.一种红外透明导电薄膜,其特征在于,所述红外透明导电薄膜包括衬底和依次设置于所述衬底上的种子层和导电层;所述种子层为具有方铁锰矿体心立方晶体结构的材料;所述导电层为氧化铟掺杂第IIIB族化合物。
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