[发明专利]磁性随机存储器的磁隧道结器件有效
| 申请号： | 201910330210.X | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110112286B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 叶力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性随机存储器的磁隧道结器件，包括自下而上依次堆叠的参考层、隧穿介电层和记忆层，所述记忆层采用物理气相沉积法制作，其包括铁磁材料，以及通过沉积层插入方式和/或共溅射方式来掺入该铁磁材料的非磁材料。本发明的磁性随机存储器，其记忆层相比于现有技术采用更多的叠层和更薄的每层厚度，或者共溅射的方法，或两种结合的方法，以实现非磁材料更均匀的混合进入磁性材料，以此来渐变可控地调节记忆层的磁化强度、各向异性强度和居里温度，因此，通过记忆层的上述设计，可以降低在低温或极低温度下翻转记忆层磁矩的所需的电流和功耗，使得磁性随机存储器能够在室温、低温或极低温下以低功耗工作。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 存储器 隧道 器件 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存储器的磁隧道结器件，包括自下而上依次堆叠的参考层(13)、隧穿介电层(14)和记忆层(15)，其特征在于，所述记忆层(15)采用物理气相沉积法制作，其包括铁磁材料，以及通过沉积层插入方式和/或溅射方式来掺入该铁磁材料的非磁材料。
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