[发明专利]抑制充电效应的多层厚型气体电子倍增器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910331418.3 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110137070B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 周意;宋国锋;尚伦霖;张广安;鲁志斌;吕游;刘建北;张志永;邵明 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01J43/28 | 分类号： | H01J43/28;H01J9/20;G01T1/24;G01T3/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种抑制充电效应的多层厚型气体电子倍增器及其制备方法，包括：基材单元和类金刚石碳基薄膜，其中，基材单元上设有多个阵列的通孔；沿所述通孔周向设有隔离环，隔离环位于基材单元上下表面；类金刚石碳基薄膜形成于基材单元未被隔离环覆盖部分的表面。本发明提高了多层厚型气体电子倍增器的工作稳定性、极大提高了厚型气体电子倍增器增益的稳定性，有效拓展了多层厚型气体电子倍增器的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 充电 效应 多层 气体 电子倍增器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抑制充电效应的多层厚型气体电子倍增器，其特征在于，包括：基材单元和类金刚石碳基薄膜，其中，基材单元上设有多个阵列的通孔；沿所述通孔周向设有隔离环，隔离环位于基材单元上下表面；类金刚石碳基薄膜形成于基材单元未被隔离环覆盖部分的表面；所述基材单元自上而下依次包括：顶部铜层、顶部PCB层、中部第一铜层、中部PCB层、中部第二铜层、底部PCB层和底部铜层；所述隔离环位于顶部铜层和底部铜层上。
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