[发明专利]半导体组件及其控制方法有效
| 申请号： | 201910332293.6 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN109936114B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 吴益飞;吴翊;杨飞;荣命哲;纽春萍 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08;H03K17/081 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体组件，半导体组件包括全控型电力电子器件及缓冲吸收电路，缓冲吸收电路并联所述全控型电力电子器件，所述缓存吸收电路包括电容(C)、电感(L)、电阻(R)、二极管(D)和半控型电力电子器件(A1)，其中，电感(L)串联半控型电力电子器件(A1)且一起并联电阻(R)，二极管(D)并联电阻(R)且一起串联电容(C)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件，其包括，全控型电力电子器件；及缓冲吸收电路，其并联所述全控型电力电子器件，所述缓存吸收电路包括电容(C)、电感(L)、电阻(R)、二极管(D)和半控型电力电子器件(A1)，其中，电感(L)串联半控型电力电子器件(A1)且一起并联电阻(R)，二极管(D)并联电阻(R)且一起串联电容(C)。
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