[发明专利]掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201910332924.4 申请日: 2019-04-24
公开(公告)号: CN110047738B 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 安晖;叶成枝;吕艳明;操彬彬 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/34;H01L29/786;G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;胡影
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置,薄膜晶体管的制作方法包括:形成栅极、栅极绝缘层、有源层和绝缘保护层,在绝缘保护层上形成光阻,采用掩膜版形成光阻图案,光阻图案包括:光阻全保留区域,第一光阻部分保留区域,第二光阻部分保留区域和光阻去除区域,第二光阻部分保留区域的厚度小于第一光阻部分保留区域的厚度;对光阻图案和绝缘保护层进行刻蚀,使光阻全保留区域和第一光阻部分保留区域的厚度被减薄,第二光阻部分保留区域的光阻完全被消除,绝缘保护层的未被光阻覆盖的部分形成开孔;形成源漏金属层;剥离剩余光阻及位于剩余光阻上的源漏金属层,形成源极和漏极。本发明可以实现栅极和源/漏极的自对准。
搜索关键词: 掩膜版 薄膜晶体管 阵列 制作方法 显示装置
【主权项】:
1.一种掩膜版,其特征在于,用于制作薄膜晶体管,所述掩膜版包括:第一部分透光区,对应所述薄膜晶体管的栅极;第二部分透光区,位于所述第一部分透光区的相对的两侧,所述第二部分透光区的透光率小于或等于所述第一部分透光区的透光率;不透光区,位于所述第二部分透光区的远离所述第一部分透光区的两侧,其中,一所述不透光区和一所述第二部分透光区对应所述薄膜晶体管的源极或漏极;全透光区,位于所述第一部分透光区、第二部分透光区和所述不透光区的外围。
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