[发明专利]掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置有效
申请号: | 201910332924.4 | 申请日: | 2019-04-24 |
公开(公告)号: | CN110047738B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 安晖;叶成枝;吕艳明;操彬彬 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/34;H01L29/786;G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供一种掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置,薄膜晶体管的制作方法包括:形成栅极、栅极绝缘层、有源层和绝缘保护层,在绝缘保护层上形成光阻,采用掩膜版形成光阻图案,光阻图案包括:光阻全保留区域,第一光阻部分保留区域,第二光阻部分保留区域和光阻去除区域,第二光阻部分保留区域的厚度小于第一光阻部分保留区域的厚度;对光阻图案和绝缘保护层进行刻蚀,使光阻全保留区域和第一光阻部分保留区域的厚度被减薄,第二光阻部分保留区域的光阻完全被消除,绝缘保护层的未被光阻覆盖的部分形成开孔;形成源漏金属层;剥离剩余光阻及位于剩余光阻上的源漏金属层,形成源极和漏极。本发明可以实现栅极和源/漏极的自对准。 | ||
搜索关键词: | 掩膜版 薄膜晶体管 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜版,其特征在于,用于制作薄膜晶体管,所述掩膜版包括:第一部分透光区,对应所述薄膜晶体管的栅极;第二部分透光区,位于所述第一部分透光区的相对的两侧,所述第二部分透光区的透光率小于或等于所述第一部分透光区的透光率;不透光区,位于所述第二部分透光区的远离所述第一部分透光区的两侧,其中,一所述不透光区和一所述第二部分透光区对应所述薄膜晶体管的源极或漏极;全透光区,位于所述第一部分透光区、第二部分透光区和所述不透光区的外围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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