[发明专利]一种功率器件封装结构及其方法在审

专利信息
申请号: 201910333503.3 申请日: 2019-04-24
公开(公告)号: CN110071079A 公开(公告)日: 2019-07-30
发明(设计)人: 叶怀宇;王林根;敖日格力;刘洋;张国旗 申请(专利权)人: 深圳第三代半导体研究院
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 代理人: 李明
地址: 518051 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种功率器件封装结构及其制备方法,功率器件封装结构包括多个功率器件封装结构单元,功率器件封装结构单元包括第一散热基板,功率器件,二极管和高导热塑封料壳。其中,功率器件和所述二极管位于第一散热基板表面,由高导热塑封料将所述功率器件封装结构单元上部塑封,形成高导热塑封料壳。第一散热基板为长板型,功率器件和二极管通过烧结技术烧结在第一散热基板的表面。本发明基于烧结技术的功率器件封装结构能够实现二维平面内的串并联,具有良好的导热性及可靠性,且栅极控制简洁,且在单个子单元的制造上,因无需直接接触芯片表面,避免了因不均匀压力造成芯片损坏的风险。
搜索关键词: 功率器件 封装结构 封装结构单元 二极管 散热基板 高导热 塑封料 烧结技术 导热性 散热基板表面 二维平面 芯片表面 芯片损坏 栅极控制 烧结 不均匀 长板型 串并联 子单元 塑封 制备 制造
【主权项】:
1.一种功率器件封装结构,包括:多个功率器件封装结构单元,所述的功率器件封装结构单元包括第一散热基板,功率器件,二极管和高导热塑封料壳;其中,所述功率器件和所述二极管位于所述第一散热基板表面,由高导热塑封料将所述功率器件封装结构单元上部塑封,形成高导热塑封料壳,其特征在于:所述第一散热基板为长板型,所述功率器件和所述二极管通过烧结技术烧结在所述第一散热基板的表面。
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