[发明专利]沟槽式功率半导体组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910333698.1 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111863617A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 许修文 | 申请（专利权）人： | 帅群微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王宇航;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种沟槽式功率半导体组件及其制造方法。在沟槽式功率半导体组件的制造方法中，形成沟槽式栅极结构的步骤是先在沟槽内形成遮蔽电极、底部绝缘层以及上绝缘层。底部绝缘层覆盖沟槽的一下方内壁面，并围绕遮蔽电极。上绝缘层覆盖沟槽的一上方内壁面，且上绝缘层的厚度小于底部绝缘层的厚度。之后，形成层间介电层以及U型屏蔽层于沟槽内。层间介电层设置于上绝缘层与U型屏蔽层之间。之后，通过U型屏蔽层，去除位于沟槽上半部的一部分上绝缘层以及一部分层间介电层，以形成一极间介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于帅群微电子股份有限公司，未经帅群微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910333698.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于经验模态分解的测录井曲线归一化方法
- 下一篇：饮料瓶的纸基复合结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
