[发明专利]一种垂直集成单元二极管芯片在审
| 申请号： | 201910333793.1 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111864021A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 闫春辉;蒋振宇 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/14;H01L33/64;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直集成单元发光二极管，包括：第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极之上的二极管台面结构；二极管台面结构包括n个二极管单元和沟槽结构，其中，n≥2；沟槽结构位于二极管单元之间；所述二极管台面结构面积根据电流扩散长度确定。二极管台面结构还包括第一导电类型层，第二导电类型层，及位于所述第一导电类型层上的量子阱有源区，量子阱有源区厚度，其中，第一导电类型层厚度为L1，第二导电类型层厚度为L2，量子阱有源区厚度为L3，其中沟槽深度L为：L2+L3L≤L1+L2+L3，所述二极管台面结构面积根据电流扩散长度确定。本发明解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 集成 单元 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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