[发明专利]三维电容器结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910334606.1 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111863770A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 尹晓明;马强 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种三维电容器结构及其制作方法，结构包括：导电基底；叠层结构，包括交替层叠的导电层及空腔层，叠层结构内具有沟槽，沟槽将叠层结构隔离成多个鳍形叠层单元；导电支撑柱，穿过鳍形叠层单元，连接导电层及导电基底；电容介质层，形成于导电层表面、导电支撑柱表面及沟槽底部；导电材料，填充于空腔层及沟槽中。本发明在三维堆叠的导电层表面形成电容介质层，并在电容介质层上形成导电材料作为电极，从而构成三维电容器，该三维电容器通过控制导电层的堆叠的层数，可以实现非常高的电容密度。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 电容器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司，未经芯恩（青岛）集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910334606.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
