[发明专利]基于铝酸锶和氧化镓异质结构的整流器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910336141.3 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN109994560A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘增;王霞;李培刚;唐为华 | 申请（专利权）人： | 北京镓族科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0336 | 分类号： | H01L31/0336;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 101300 北京市顺义区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结构整流器件及相应的制备方法，器件包括衬底(1)、异质结构以及电极(4、5)，异质结构形成于所述衬底(1)上，电极(4、5)形成于所述异质结构上。异质结构由铝酸锶层(2)和氧化镓层(3)形成。本发明的制备方法采用磁控溅射方法生长铝酸锶和氧化镓，然后分别在铝酸锶和氧化镓表面转移电极。本发明操作简单，工艺上可控性强，得到的整流器件能够实现良好的整流性能。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结构 铝酸锶 氧化镓 整流器件 电极 制备 衬底 表面转移 磁控溅射 可控性 生长 | ||
【主权项】：
1.一种异质结构整流器件，包括衬底(1)、异质结构以及电极(4、5)，所述异质结构形成于所述衬底(1)上，所述电极(4、5)形成于所述异质结构上，其特征在于：所述异质结构由铝酸锶层(2)和氧化镓层(3)形成。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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