[发明专利]一种改善结终端延伸结构三极管可靠性的器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910337740.7 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110010677A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 许柏松;吴丹;沈晓东;王金富;徐永斌;叶新民 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/06;H01L23/552;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 赵海波 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改善结终端延伸结构三极管可靠性的器件结构及其制造方法，属于集成电路或分立器件制造技术领域。包括N+重掺杂衬底，N+重掺杂衬底上设有高阻层；高阻层上设有P‑型终端结构，P‑型终端结构内设有基区有源区，基区有源区内部设有N+型发射极，高阻层上还设有N+型，N+型、基区有源区和P‑型终端结构上分别设有第一屏蔽层，第一屏蔽层上开设N+型引线孔、基区有源区引线孔和P‑型终端结构引线孔，基区有源区引线孔和P‑型终端结构引线孔上分别设有连接层，N+型引线孔上设有第二屏蔽层，连接层与第二屏蔽层上设有保护层，保护层上设有PAD区。本申请保证在超结温下结终端三极管的击穿不发生退化，提高了芯片的可靠性和合封器件的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 引线孔 终端结构 基区 源区 高阻层 三极管 结终端延伸结构 第二屏蔽层 第一屏蔽层 器件结构 保护层 连接层 重掺杂 衬底 制造 分立器件 发射极 结终端 超结 击穿 集成电路 退化 芯片 申请 保证 | ||
【主权项】：
1.一种改善结终端延伸结构三极管可靠性的器件结构，其特征在于：包括N+重掺杂衬底，所述N+重掺杂衬底上设有高阻层；所述高阻层上扩散成型有P‑型终端结构，所述P‑型终端结构内设有基区有源区，所述基区有源区内部设有N+型发射极，所述高阻层上还设有N+型，所述N+型、基区有源区和P‑型终端结构上分别设有第一屏蔽层，所述第一屏蔽层上开设N+型引线孔、基区有源区引线孔和P‑型终端结构引线孔，所述基区有源区引线孔和P‑型终端结构引线孔上分别设有连接层，所述N+型引线孔上设有第二屏蔽层，所述连接层与第二屏蔽层上设有保护层，所述保护层上设有PAD区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴新顺微电子有限公司，未经江阴新顺微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910337740.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
