[发明专利]碳化硅半导体装置在审
| 申请号： | 201910337866.4 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110660858A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 辻崇;木下明将 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在高温下能提高基于栅极电压控制的电流控制性的碳化硅半导体装置。在p型基区(23)的比有源区靠外侧的p型基区延伸部(23’)设置p | ||
| 搜索关键词： | 高浓度区 半导体基板 源区 延伸部 平行 碳化硅半导体装置 栅极电压控制 电流控制 外延层 正交的 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：/n有源区，其设置于具有第一主面和第二主面的第一导电型的半导体基板，且供主电流流通；/n终端区，其包围所述有源区的周围；/n第二导电型外延层，其构成所述半导体基板的一部分，形成所述半导体基板的所述第一主面；/n第一导电型的第一半导体区，其在所述有源区中选择性地设置于所述第二导电型外延层的所述第一主面侧的表面层；/n第二导电型的第二半导体区，其在所述有源区与所述终端区的边界区选择性地设置于所述第二导电型外延层的所述第一主面侧的表面层，且杂质浓度比所述第二导电型外延层的杂质浓度高；/n第二导电型的第三半导体区，其是所述第二导电型外延层的除了所述第一半导体区和所述第二半导体区以外的部分；/n第一导电型的第四半导体区，其是所述半导体基板的除了所述第二导电型外延层以外的部分；/n沟槽，其贯穿所述第一半导体区和所述第三半导体区而到达所述第四半导体区；/n栅电极，其隔着栅极绝缘膜设置于所述沟槽的内部；/n第一电极，其电连接到所述第一半导体区和所述第三半导体区；以及/n第二电极，其设置于所述半导体基板的所述第二主面，/n所述第二半导体区以与所述第一半导体区分离的方式配置，/n在所述第二半导体区与所述第一半导体区之间，在所述半导体基板的所述第一主面露出有所述第二导电型外延层的所述第三半导体区的部分。/n
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