[发明专利]通孔接触结构、存储器装置及形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201910337951.0 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN111816606A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 江昱维;张国彬;胡志玮 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种通孔接触结构、存储器装置及形成半导体结构的方法，该形成半导体结构的方法包含以下步骤：形成具有第一穿孔的第一介电层于前驱衬底上，第一穿孔贯穿第一介电层；填充牺牲材料于第一穿孔中；形成具有第二穿孔的第二介电层于第一介电层上方，第二穿孔露出第一穿孔中的牺牲材料，其中第二穿孔具有底部宽度，底部宽度小于第一穿孔的顶部宽度；在形成具有第二穿孔的第二介电层后，更换牺牲材料；形成势垒层内衬于第一穿孔的侧壁及第二穿孔的侧壁；以及形成导电材料于第一及第二穿孔内。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 结构 存储器 装置 形成 半导体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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