[发明专利]一种使用异常原料生产单晶硅的方法在审
| 申请号： | 201910339850.7 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN111850674A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李立峰;胡海勇;曹森;侯雨;关鹏羽;曲雁鹏;陈朝霞 | 申请（专利权）人： | 新特能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;杜丹丹 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐国*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用异常原料生产单晶硅的方法，包括装料：将多晶硅原料和异常原料混装在坩埚中；化料：将异常原料和多晶硅原料熔化；杂质提出：在化料后期将所述坩埚内未熔化的多晶硅异常原料提出；生长：利用籽晶将提出杂质后剩余的硅熔体提拉以获得单晶硅。本发明所述的使用异常原料生产单晶硅的方法，通过对单晶硅生产过程中步骤及参数的改变，实现了将含杂质多、品质较差的多晶硅原料分离提出，解决了使用品质较差的多晶硅原料生产过程中单晶硅品质无法保证的问题，使单晶硅生产成本大大降低，同时提高生产效率、提升产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 异常 原料 生产 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
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