[发明专利]电容性半导体元件有效
| 申请号： | 201910340165.6 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN111430328B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 川村昌靖;夏目秀隆;藤井康博;熊谷裕弘 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种考虑寄生电容分量从而能够进行更精确设计的电容性半导体元件。电容性半导体元件包括：MOM电容器，包括相互耦合而形成配线间电容的多个指状配线,以及将规定的指状配线相互连接的共用配线；栅极电极(DG)，位于层叠有金属层的硅衬底上，当从层叠方向观察时，至少一部分与指状配线的图案重叠，并且具有与指状配线的图案相同或相似的第一图案；以及硅区域(DA)，位于硅衬底上，当从层叠方向观察时，至少一部分与指状配线的图案重叠，并且具有与指状配线的图案相同或相似的第二图案。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 半导体 元件 | ||
【主权项】：
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