[发明专利]一种量子反常霍尔效应薄膜微结构器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910340284.1 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110098319B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 高志廷;李耀鑫;王永超;李绍锐;张金松;王亚愚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10;H01L43/14 |
| 代理公司： | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人： | 李想;王文文 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种量子反常霍尔效应薄膜微结构器件的制备方法，具体步骤如下：在拓扑绝缘体材料的Al |
||
| 搜索关键词： | 一种 量子 反常 霍尔 效应 薄膜 微结构 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子反常霍尔效应薄膜微结构器件的制备方法，其特征在于：具体步骤如下：1）匀涂保护层：在拓扑绝缘体材料（1）的Al2O3层（103）上匀涂电子束胶，作为保护层（201）；2）匀涂紫外光刻胶：在保护层（201）上匀涂紫外正性光刻胶（301）；3）单层光刻：采用光刻工艺将掩膜的图形转移到紫外正性光刻胶（301）上；4）刻蚀保护层：采用等离子去胶机去除刻蚀图形的保护层（201）；5）刻蚀薄膜：利用离子束刻蚀机在拓扑绝缘体材料（1）上刻蚀Al2O3层（103）及Cr掺杂(Bi,Sb)2Te3层（102），将掩膜的图形转移到拓扑绝缘体材料（1）上；6）清洗：利用丙酮及异丙醇洗掉拓扑绝缘体材料（1）表面剩余的保护层（201）和紫外正性光刻胶（301），干燥，得到量子反常霍尔效应薄膜微结构器件（2）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910340284.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
