[发明专利]一种基于TFT的具有大存储窗口的透明闪存及其制造方法在审
| 申请号： | 201910340470.5 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110211958A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张宁;叶志 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于TFT的具有大存储窗口的透明闪存及其制造方法，该闪存是一种基于金属氧化物TFT的浮栅结构闪存器件，该闪存器件包括电极、有源层、第一栅氧层、浮栅层、保护层、第二栅氧层。其中，有源层、第一栅氧层、浮栅层、保护层、第二栅氧层均由透明金属氧化物薄膜制得，浮栅层采用ZnO薄膜制备得到。本发明的基于TFT的具有大存储窗口的透明闪存成本较低，存储窗口较大，相比传统多晶硅材料闪存具有更优秀的存储性能。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储窗口 栅氧层 浮栅层 闪存器件 保护层 透明 源层 透明金属氧化物薄膜 金属氧化物TFT 传统多晶硅 存储性能 浮栅结构 电极 制备 制造 | ||
【主权项】：
1.一种基于TFT的具有大存储窗口的透明闪存，其特征在于，是一种基于金属氧化物TFT的浮栅结构闪存器件，所述的闪存器件包括电极、有源层、第一栅氧层、浮栅层、保护层、第二栅氧层；所述的有源层、第一栅氧层、保护层、第二栅氧层均采用透明金属半导体薄膜制得；所述的浮栅层采用ZnO薄膜制备得到。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
