[发明专利]基于萘酰亚胺-硒吩衍生物的有机n型半导体聚合物材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201910341859.1 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110028654B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 闫伟博;唐成诚;辛颢;郭世赣 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈国强 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于萘酰亚胺‑硒吩衍生物的有机n型半导体聚合物材料及其制备方法与应用，该有机n型半导体聚合物材料基于长链萘酰亚胺或其衍生物为吸电子单元，烷氧基取代硒吩或硒吩衍生物为给电子单元，其中，烷氧基取代硒吩或硒吩衍生物的3‑位或4‑位，或者取代硒吩或硒吩衍生物的3‑位和4‑位。本发明公开的基于萘酰亚胺与硒吩衍生物的n‑型共轭聚合物半导体具有可溶液加工、电子迁移率高、能级适当、优异的成膜性等优点，是理想的非富勒烯受体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 亚胺 衍生物 有机 半导体 聚合物 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于萘酰亚胺与硒吩衍生物的有机共轭聚合物n‑型半导体材料，其特征在于：基于长链萘酰亚胺或其衍生物为吸电子单元，烷氧基取代硒吩或硒吩衍生物为给电子单元，其中，烷氧基取代硒吩或硒吩衍生物的3‑位或4‑位，或者取代硒吩或硒吩衍生物的3‑位和4‑位。
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