[发明专利]多层芯片架构及连接方法有效
| 申请号： | 201910342208.4 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110060993B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 胡志刚 | 申请（专利权）人： | 胡志刚 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市芙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多层芯片架构相互连接，通过硅通孔（TSV）的键合方法及可以实施方式为多层相同或不同功能的集成电路芯片相互连接。多层芯片通过硅通孔（TSV）键合形成圆柱体金属互连，芯片之间用顶部与底部堆叠方式，或芯片倒装堆叠芯片方式实现层与层硅通孔定位对准。不同几何尺寸芯片堆叠键合方式互连是通过芯片上固定位置硅通孔（TSV）金属键合，增加一个辅助层使得各层芯片通过硅通孔（TSV）可持续互连。这种固定位置硅通孔（TSV）金属化垂直互连，可以作为工艺定位和对齐基准使得堆叠芯片互连焊接准确，工艺控制简便，连接可靠，可以规模化并具有合理成本的生产，可以跨层和简化各层之间电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 芯片 架构 连接 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层芯片架构及连接方法，其特征在于，包括：多层架构芯片层，包括芯片层：在芯片四个方向设置硅通孔，或至少在一个方向上设置硅通孔；每层堆叠芯片的硅通孔位置和直径都相同；以及多层芯片堆叠在一个封装内，每层芯片包括：导电层，芯片层，绝缘层；金属连接线，金属连接端子；按照电路设计和布局要求在每层芯片四个方向硅通孔，或至少在芯片一个方向上 硅通孔与器件连接线路最短。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胡志刚，未经胡志刚许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910342208.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
