[发明专利]一种大面积转移制备纳米结构的方法

摘要

本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及一种大面积转移制备纳米结构的方法，以Al作为基底，采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板，并对单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂，再采用排水法和干法刻蚀制备工艺制备得到双通AAO纳米多孔薄膜，最后在目标基片表面获得纳米结构。本发明是一种大面积转移制备纳米结构的方法，能够实现将超薄AAO阵列纳米结构大面积转移至目标基片，并高精度、低成本、无损伤高均匀性地在目标基片制备出与AAO具有相同特征尺寸的高规整度纳米结构。

主权项

1.一种大面积转移制备纳米结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：以Al作为基底，采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板，所述单通AAO多孔纳米结构模板具有AAO/Al复合结构；S2：对S1步骤中的单通AAO多孔纳米结构模板表面进行PMMA旋涂，得到PMMA/AAO/Al复合结构；S3：将经过S2步骤处理的单通AAO多孔纳米结构模板漂浮于浓度不大于0.1mol/L的CuCl₂溶液表面，以Al基底接触液面，在常温下去除Al基底后，CuCl₂溶液变为CuCl₂+AlCl₃溶液，得到PMMA/AAO薄膜；S4：将经过亲水处理的目标基片放入CuCl₂+AlCl₃溶液底部，使PMMA/AAO薄膜附着至目标基片上，进行AAO纳米结构转移；S5：将经过S4步骤处理的目标基片取出，去除PMMA层，得到AAO单通膜层，再采用干法刻蚀制备得到双通AAO纳米多孔薄膜；S6：以S5步骤制备得到的双通AAO纳米多孔薄膜为掩膜，再通过干法刻蚀在目标基片表面获得纳米结构；或以S5步骤制备得到的双通AAO纳米多孔薄膜为模板，进行镀膜后，再去除双通AAO纳米多孔薄膜，以镀膜作为掩膜，再通过干法刻蚀在目标基片表面获得纳米结构。