[发明专利]光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器有效
| 申请号： | 201910342621.0 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN110265550B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 森胁俊贵 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H10K30/60 | 分类号： | H10K30/60;H10K30/85;H10K71/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 王新春;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了具有低暗电流的有机光电转换元件、摄像装置、光学传感器和光电转换元件制造方法。光电转换元件是通过如下方式提供的：形成有机光电转换层以作为第一电极的上层，所述有机光电转换层包含一种或多种类型的有机半导体材料；形成缓冲层以作为所述有机光电转换层的上层，所述缓冲层由非晶无机材料构成并具有7.7至8.0eV的能级，且所述有机光电转换层与所述缓冲层之间具有2eV以上的HOMO能级差；以及形成第二电极以作为所述缓冲层的上层。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 及其 制造 方法 成像 装置 光学 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换元件，其包括：第一电极；有机光电转换层，其布置在所述第一电极的上层中，所述有机光电转换层包括一种或多种有机半导体材料；缓冲层，其布置在所述有机光电转换层的上层中，所述缓冲层由非晶无机材料构成并且具有7.7至8.0eV的能级，且所述缓冲层与所述有机光电转换层之间的HOMO能级差为2eV以上；以及第二电极，其布置在所述缓冲层的上层中。
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