[发明专利]一种低碳包裹物密度SiC单晶的生长装置及生长方法在审
| 申请号： | 201910343869.9 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110129880A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 杨昆;路亚娟;牛晓龙;刘新辉;张福生 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 戴凤仪 |
| 地址： | 071000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低碳包裹物密度SiC单晶的生长装置及生长方法，该装置包括的单晶生长坩埚、硅料坩埚以及分隔板。单晶生长坩埚无下盖并位于硅料坩埚上方，二者腔体相连，分隔板将单晶生长坩埚及硅料坩埚组合体的腔体分隔为两部分。分隔板以上腔体进行物理气相传输方法制备SiC单晶，硅料坩埚内置入单质硅。所述分隔板允许气相Si组分透过，在制备SiC单晶过程中，通过保持硅料坩埚温度低于单晶生长温度，避免了单晶由于附加硅源导致的硅滴缺陷，同时可实现向SiC多晶原料内缓释Si组分抑制多晶原料的石墨化，有效降低SiC单晶中碳包裹物缺陷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶 硅料 坩埚 分隔板 单晶生长坩埚 多晶原料 生长装置 包裹物 低碳 腔体 制备 物理气相传输 单晶生长 腔体分隔 单质硅 石墨化 碳包裹 组合体 生长 硅源 缓释 内置 下盖 | ||
【主权项】：
1.一种低碳包裹物密度SiC单晶的生长装置，其特征在于，所述生长装置包括无下盖的单晶生长坩埚(1)、硅料坩埚(2)和分隔板(3)；所述单晶生长坩埚(1)位于所述硅料坩埚(2)的上方，单晶生长坩埚(1)与硅料坩埚(2)之间形成腔体，腔体使用分隔板(3)间隔为上下两部分。
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