[发明专利]一种基于钛酸锶介质层的超材料吸波器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910344109.X | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110085996A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 王鑫;王俊林 | 申请（专利权）人： | 内蒙古大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;H01Q17/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙) 34144 | 代理人： | 方荣肖 |
| 地址： | 010021 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于钛酸锶介质层的超材料吸波器及其制造方法，该吸波器包括底层结构、中间介质层以及顶层谐振结构。底层结构包括至少一层金属薄膜，中间介质层固定在底层结构上。顶层谐振结构固定在中间介质层上，顶层谐振结构包括呈阵列排布的多个金属谐振结构。多个金属谐振结构均固定在中间介质层远离底层结构的同一端面上。金属薄膜和金属谐振结构均由铜制得，中间介质层由SrTiO3材料制得。本发明将SrTiO3材料作为超材料吸波器的中间介质层，可以通过改变外界环境温度实现吸波频率和吸波强度的主动调节，进而进一步开拓超材料吸波器的应用领域，并在太赫兹频段内实现对入射电磁波的有效控制，促进太赫兹科学与技术的发展和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 中间介质层 吸波 底层结构 超材料 金属谐振 谐振结构 顶层 金属薄膜 介质层 钛酸锶 同一端面 外界环境 有效控制 阵列排布 主动调节 电磁波 频段 入射 铜制 制造 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于钛酸锶介质层的超材料吸波器，其包括：底层结构(1)，其包括至少一层金属薄膜；中间介质层(2)，其固定在底层结构(1)上；中间介质层(2)与底层结构(1)相连的两个端面重合；以及顶层谐振结构(3)，其固定在中间介质层(2)上；其特征在于，顶层谐振结构(3)包括呈阵列排布的多个金属谐振结构(5)；多个金属谐振结构(5)均固定在中间介质层(2)远离底层结构(1)的同一端面上，每个金属谐振结构(5)呈十字形；所述金属薄膜和金属谐振结构(5)均由铜制得，中间介质层(2)由SrTiO3材料制得。
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