[发明专利]利用管式PECVD设备制备背面钝化膜的方法

摘要

本发明提供了一种利用管式PECVD设备制备背面钝化膜的方法，该方法包括以下步骤：将硅片置于管式PECVD设备中进行恒温处理、前处理、背面沉积AlOx膜、后处理、在AlOx膜上沉积第一SiNx膜、在第一SiNx膜上沉积第二SiNx膜，完成对背面钝化膜的制备。本发明方法通过利用管式PECVD设备并改良工艺流程和工艺参数即可实现PERC电池背面钝化膜的制备，不仅有利于提高旧产线或旧设备的利用率，同时还具有设备投资成本低、维护频率低、制备成本低等优点，且由此制得的太阳电池也具有较高的光电转换效率，对于实现PERC电池的广泛应用具有十分重要的意义。

主权项

1.一种利用管式PECVD设备制备背面钝化膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将硅片置于管式PECVD设备的炉管中，将炉管恒温至270℃～320℃；S2、往管式PECVD设备的炉管中通入NH₃，开启中频电源，对硅片进行前处理；S3、往管式PECVD设备的炉管中通入N₂O和三甲基铝，开启中频电源，在步骤S2中经前处理后的硅片背面沉积AlOx膜；S4、将管式PECVD设备的炉管升温到420℃～470℃，同时在升温过程中通入NH₃和N₂O，开启中频电源，对步骤S3中沉积有AlOx膜的硅片进行后处理；S5、往管式PECVD设备的炉管中通入SiH₄和NH₃，开启中频电源，在步骤S4中经后处理后的AlOx膜上沉积第一SiNx膜；S6、往管式PECVD设备的炉管中通入SiH₄和NH₃，开启中频电源，在步骤S5中的第一SiNx膜上沉积第二SiNx膜，完成对背面钝化膜的制备。