[发明专利]一种MSM型(GaMe)2

摘要

本发明公开了一种MSM型(GaMe)2O3三元合金日盲紫外光探测器及其制备方法。所述探测器从下至上依次为c面蓝宝石衬底、有源层、平行金属电极，其中：有源层为(GaMe)2O3三元合金薄膜。本发明利用Me2O3的带隙(5.5eV)大于Ga2O3的带隙(4.9eV)，使用Me3+离子部分取代Ga3+离子，得到(GaMe)2O3三元合金来提高Ga2O3的带隙来有效地降低器件的暗电流，并使截止波长蓝移至280nm以内，提高器件对深紫外光的探测能力。而且本发明的MSM结构的日盲紫外光探测器结构和制作工艺简单，暗电流小于0.2pA，器件弛豫响应时间τd2可低至0.190s，响应速度快，性能稳定。

主权项

1.一种MSM型(GaMe)₂O₃三元合金日盲紫外光探测器，其特征在于：所述探测器从下至上依次包括c面蓝宝石衬底、有源层、一对平行电极，其中：所述有源层为(GaMe)₂O₃三元合金薄膜；所述Me为Lu或Sc中的任一种。