[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910344627.1 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111863755A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及晶片封装技术领域，公开了一种半导体结构及其制备方法。本发明中，半导体结构包括：包含有电连接层的基底，设置在所述基底上的导电垫，所述导电垫与所述电连接层电性连接，所述导电垫内设置有沟槽，所述沟槽将所述导电垫分隔为用于测试的第一区域、以及用于电连接的第二区域。本发明还提供了一种半导体结构的制备方法。本发明提供的半导体结构及其制备方法，能够提高芯片的良率与稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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