[发明专利]一种CuFeO2半导体的制备方法

摘要

本技术方案提供了一种CuFeO₂半导体的制备方法，本技术方案通过在传统Cu₂O中掺杂铁离子，并对CuFeO₂电沉积溶液进行pH值调节，并在ITO导电玻璃上沉积CuFeO₂，制得CuFeO₂半导体；所制得的CuFeO₂半导体形状规则，尺寸均一，厚度均匀平整，与Cu₂O半导体比较，CuFeO₂半导体析氢气的法拉第效率极大地提高，并且极大地减小了半导体的光腐蚀，所述获得的CuFeO₂半导体比Cu₂O半导体具有更加优异地光稳定性。

主权项

1.一种CuFeO₂半导体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在乳酸溶液中加入CuSO₄溶液，混合均匀后得到CuSO₄‑乳酸混合溶液；(2)在步骤(1)制得的CuSO₄‑乳酸混合溶液中加入FeCl₃，磁力搅拌使FeCl₃溶解并与CuSO₄‑乳酸混合溶液混合均匀，制得CuFeO₂电沉积溶液；(3)在步骤(2)中制得的CuFeO₂电沉积溶液中加入碱溶液，调节CuFeO₂电沉积溶液的pH值；(4)将ITO导电玻璃作为电解池中的工作电极、Pt作为对电极及Ag/AgCl作为参比电极，在电解池中加入步骤(3)所得的CuFeO₂电沉积溶液，对ITO导电玻璃进行电沉积，沉积时间为3000～4500s。