[发明专利]微发光二极管显示面板及制备方法有效
申请号: | 201910345519.6 | 申请日: | 2019-04-26 |
公开(公告)号: | CN110112141B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 张玮;卢马才;柳铭岗;徐君哲;李佳育 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/06 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种微发光二极管显示面板及制备方法,该微发光二极管显示面板包括形成薄膜晶体管的有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极,像素电极、微发光二极管、以及覆盖有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极的遮光层;在本发明中,遮光层阻挡了微发光二极管所发出的光线照射到薄膜晶体管,减小了微发光二极管发光对薄膜晶体管的影响,降低了微发光二极管照射薄膜晶体管导致的阈值漂移,进而降低了光漏电流。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 显示 面板 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微发光二极管显示面板制备方法,其特征在于,包括:提供一基板;在所述基板上依次形成有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极;在所述基板上形成第一钝化层,所述第一钝化层覆盖所述源极和漏极;所述第一钝化层上设有第一通孔;在所述基板上形成像素电极,所述像素电极通过所述第一通孔连接所述漏极或者所述源极;在所述基板上形成遮光层,所述遮光层覆盖所述有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极;在所述基板上设置微发光二极管,所述微发光二极管与所述像素电极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910345519.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示面板及其制作方法
- 下一篇:阵列基板及其制造方法、显示面板及电子装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的