[发明专利]半导体衬底的氧化方法以及背照式传感器芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201910345525.1 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110265285A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 姚公达 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体衬底的氧化方法以及背照式传感器芯片的制造方法。所述半导体衬底的氧化方法包括如下步骤：采用含水蒸气和氧气的气体对半导体衬底进行湿氧氧化，在半导体衬底表面形成氧化层；在上述步骤中同时采用含卤素气体，所述含卤素气体中的卤素元素经水蒸气离子化后，与气氛中的金属杂质结合，在所述氧化层的表面形成金属卤化物沉淀，抑制金属杂质向半导体衬底扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 背照式传感器 水蒸气 含卤素气体 金属杂质 氧化层 芯片 半导体衬底表面 表面形成金属 卤素元素 湿氧氧化 离子化 卤化物 氧气 制造 沉淀 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底的氧化方法，包括如下步骤：采用含水蒸气和氧气的气体对半导体衬底进行湿氧氧化，在半导体衬底表面形成氧化层；其特征在于：在上述步骤中同时采用含卤素气体，所述含卤素气体中的卤素元素经水蒸气离子化后，与气氛中的金属杂质结合，在所述氧化层的表面形成金属卤化物沉淀，抑制金属杂质向半导体衬底扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
