[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201910347411.0 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110047799A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 邹永金;顾文斌;曹秀亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了半导体器件的制造方法，制造半导体器件的步骤包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有插塞，然后在所述介质层上形成互连线，最后形成保护膜层。本发明提供的保护膜层不仅减少了制造保护膜层所需的原料成本，而且可靠地保护了顶层互连线，从而避免了半导体器件发生刮伤的可能性，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 保护膜层 介质层 互连线 制造 衬底 产品良率 原料成本 顶层 插塞 刮伤 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，步骤包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有插塞；在所述介质层上形成互连线，所述互连线与所述插塞电性连接；以及形成保护膜层，所述保护膜层覆盖所述互连线和所述介质层，所述保护膜层包括：依次堆叠的第一氧化硅层及氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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