[发明专利]一种光还原二氧化碳的氧化钨/硫化锑异质结电极的制备方法在审
| 申请号： | 201910347759.X | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110026209A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 李国华;陈志成;李婉青;项曙光;胡鑫 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | B01J27/047 | 分类号： | B01J27/047;B01J35/00;C25B3/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230601 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光还原二氧化碳的氧化钨/硫化锑异质结电极的制备方法，其特征在于：是利用氯化锑与硫代硫酸钠混合沉积法使氧化钨纳米片上生长硫化锑，然后经一次性退火即得到氧化钨/硫化锑异质结电极。本发明的方法具有简便、温和、高效的特点，所制备的氧化钨/硫化锑异质结电极具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化锑 电极 氧化钨 异质结 制备 光还原 二氧化碳 退火 可见光吸收 硫代硫酸钠 氧化钨纳米 沉积法 氯化锑 一次性 生长 | ||
【主权项】：
1.一种光还原二氧化碳的氧化钨/硫化锑异质结电极的制备方法，其特征在于：是利用氯化锑与硫代硫酸钠混合沉积法使氧化钨纳米片上生长硫化锑，然后经一次性退火即得到氧化钨/硫化锑异质结电极。
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