[发明专利]一种便于射频前端集成的温度补偿声表面波器件及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201910348847.1 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110113025B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 潘峰;沈君尧;傅肃磊;曾飞;苏容宣 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/25;H03H3/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种便于射频前端集成的温度补偿声表面波器件及其制备方法与应用。该器件由下至上依次包括压电基片、温度补偿薄膜、叉指换能器和压电薄膜。它制备方法，包括如下步骤：1)采用物理气相沉积或化学气相沉积，在压电基片上沉积温度补偿薄膜；2)利用光刻技术和电子束蒸镀方法，在温度补偿薄膜上制备叉指换能器叉指换能器；3)采用磁控溅射方法，在叉指换能器叉指换能器上生长压电薄膜，即得到声表面波器件。本发明器件应用于宽禁带半导体射频前端的集成和/或具有温度补偿功能的声表面波器件的制备中。本发明能够实现对器件温度补偿性能的调控，从而实现器件的温度稳定性；具有更大的带宽；制备工艺简单，易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 便于 射频 前端 集成 温度 补偿 表面波 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波器件，其特征在于：该器件由下至上依次包括压电基片、温度补偿薄膜、叉指换能器和压电薄膜。
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