[发明专利]一种基于肖特基二极管的MOS场控晶闸管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910348994.9 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110061048B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 唐明华;孙运龙;陈子荷;肖永光;李刚;李诚瞻;周维 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/47;H01L21/332;H01L29/74;H01L29/745 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 颜昌伟 |
| 地址： | 411105 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于肖特基二极管的MOS场控晶闸管，包括阳极金属、位于阳极金属上的P+阳极、位于P+阳极上的N FS层、位于N FS层上的N‑base区；N‑base区顶层表面分布有第一类阴极金属、第二类阴极金属、栅介质层；栅介质层上方设置多晶硅栅；N‑base区顶端靠左设置P well区，P well区顶端靠右设置N well区，N well区的顶端靠右设置P+区；N well和P+区的一部分位于多晶硅栅下方。本发明能够解决MCT关断过程中off‑FET中存在的反复充电和放电问题，减少MCT在脉冲电路中的关断时间；同时，缓解MCT阴极金属边缘处的电流集中，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 肖特基 二极管 mos 晶闸管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于肖特基二极管的MOS场控晶闸管，其特征在于：包括阳极金属（600）、位于所述阳极金属（600）上的P+阳极（101）、位于所述P+阳极（101）上的N FS层（102）、位于所述N FS层（102）上的N‑ base区（103）；所述N‑ base区（103）顶层表面从左至右依次分布有第一类阴极金属（400）、第二类阴极金属（500）以及栅介质层（301）；所述第一类阴极金属（400）和第二类阴极金属（500）之间用绝缘介质（302）隔断；所述栅介质层（301）上方设置多晶硅栅（200）；所述N‑ base区（103）的顶端靠左设置P well区（104），所述P well区（104）的顶端靠右设置N well区（105），所述N well区（105）的顶端靠右设置P+区（106）；所述N well（105）和P+区（106）的一部分位于多晶硅栅（200）下方。
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