[发明专利]一种三维NAND型铁电存储器、制作方法及操作方法

摘要

本发明提供了一种三维NAND型铁电存储器、制作方法及操作方法，该三维NAND型铁电存储器基于现有的铁电存储器结构，在铁电层和介质层之间插入一层辅栅极材料层，构成三维NAND型铁电存储器，单元的栅极叠层为主栅极材料层、铁电层、辅栅极材料层和介质层，配合辅栅极材料层单独对铁电层进行编程和擦除操作，从而有效改善铁电存储器的可靠性，即增大了存储窗口，提高了器件耐久性以及提升了器件的保持特性。

主权项

1.一种三维NAND型铁电存储器，其特征在于，所述三维NAND型铁电存储器包括：基底；设置在所述基底上的叠层结构，所述叠层结构包括主栅极材料层和隔离层，在垂直于所述基底的方向上，所述主栅极材料层和所述隔离层交叠排布，且相邻所述基底的底层为主栅极材料层，背离所述基底的顶层为隔离层；贯穿所述叠层结构的多个通孔；在每个所述通孔的侧壁上依次设置的主栅极缓冲层、铁电层、辅栅极材料层、介质层和沟道材料层，以形成多个操作单元。