[发明专利]一种用于正面接触钝化的双层钝化膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910349983.2 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110190137B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 袁声召;陈桂栋;崔艳峰;万义茂;黄强;林海峰 | 申请（专利权）人： | 东方日升（常州）新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人： | 吕波 |
| 地址： | 213200 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其是一种用于正面接触钝化的双层钝化膜，所述双层钝化膜为掺磷SiCx/掺磷多晶硅叠层薄膜；本发明中的用于正面接触钝化的双层钝化膜，即掺磷SiCx/掺磷多晶硅叠层薄膜，结合图形化刻蚀工艺可大幅减少正面的吸光，刻蚀过程中，掺磷SiCx薄膜是极佳的刻蚀阻挡层，从而可以保护其下的金字塔不被破坏，刻蚀后，钝化区为隧穿氧化硅/掺磷SiCx叠层结构，仍可提供有效的接触钝化，SiCx薄膜由于其宽的光学带隙，寄生吸收少，金属区则为隧穿氧化硅/掺磷SiCx/厚多晶硅薄膜，可保证烧结过程中不被浆料烧穿。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 正面 接触 钝化 双层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于正面接触钝化的双层钝化膜，其特征在于：所述双层钝化膜为掺磷SiCx/掺磷多晶硅叠层薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东方日升（常州）新能源有限公司，未经东方日升（常州）新能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910349983.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
