[发明专利]一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法有效
| 申请号： | 201910350026.1 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110203933B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 牛晓龙;杨昆;张福生;刘新辉;路亚娟 | 申请（专利权）人： | 河北同光半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 张海青 |
| 地址： | 071000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明公开一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法，属于晶体生长领域，该方法采用了高温时与氮元素发生化学反应的除氮物质，所形成的氮化物在碳化硅合成温度范围内以稳定的形态存在，有效避免氮杂质进入碳化硅晶格中，突破了目前传统的碳化硅原料合成方式，实现了低氮含量的碳化硅原料合成，其氮含量低于2×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 降低 碳化硅 粉体中氮 杂质 含量 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法，其特征在于，包括以下步骤，(1)将硅原料和碳原料充分混合；(2)在硅原料和碳原料混合物中加入除氮物质，之后将含有除氮物质和碳硅混合物原料的坩埚置于反应室中；(3)对反应室抽真空，降低反应室中的氧气与氮气的含量；(4)对反应室加热，升高温度，使除氮物质与氮元素反应，形成在2400℃以下不会发生分解的固体或气体形态的氮化物；(5)向反应室中通入惰性气体，维持反应室的压力，逐渐升高反应室的温度，使碳原料和硅原料发生反应，逐渐降温至室温，结束反应；(6)将所得到的碳化硅中的氮化物除去，得到低含氮量的碳化硅原料。
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