[发明专利]一种双硅片基固态超级电容及其制备方法在审
| 申请号： | 201910350124.5 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110098065A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;朱宝;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/68;H01G11/84;H01G11/86 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双硅片基固态超级电容及其制备方法，该超级电容由两个相对设置的电极结构粘合构成，电极结构包含衬底、设置在衬底背面上的硅纳米阵列结构、过渡金属掺杂的氧化铟薄膜层及固态电解质层，上述过渡金属包括镍、钴或者锰。本发明提供的硅基超级电容制备在低阻单晶硅的背面，可以充分利用硅材料，节约成本；与传统的硅基集成电路工艺兼容，制备工艺简单，成本低廉；过渡金属掺杂的氧化铟薄膜兼具氧化铟高电导率和过渡金属氧化物理论高比电容值的优势，从而保证所制备的超级电容可以同时拥有较高的功率和能量密度。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 超级电容 固态超级电容 过渡金属掺杂 氧化铟薄膜 电极结构 硅片 过渡金属氧化物 固态电解质层 硅基集成电路 单晶硅 衬底背面 高电导率 工艺兼容 过渡金属 相对设置 阵列结构 制备工艺 比电容 传统的 硅材料 硅纳米 氧化铟 粘合 衬底 低阻 硅基 背面 节约 保证 | ||
【主权项】：
1.一种双硅片基固态超级电容，其特征在于，该超级电容由两个相对设置的电极结构粘合构成，所述电极结构包含衬底、设置在衬底背面上的硅纳米阵列结构、过渡金属掺杂的氧化铟薄膜层及固态电解质层；所述的过渡金属包括镍、钴或者锰，经原子沉积方法生长在所述氧化铟薄膜层内，过渡金属所占摩尔比例为10～50％。
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