[发明专利]发光二极管芯片的制作方法及发光二极管芯片

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片的制作方法及发光二极管芯片，属于半导体技术领域。制作方法包括：依次形成缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；开设凹槽；形成透明导电层；设置N型电极和P型电极；形成钝化保护层；减薄衬底；形成反射层；钝化保护层包括第一单层结构、叠层结构和第二单层结构，叠层结构包括至少两个子层，每个子层采用如下方式形成：对衬底所在的反应室施加电场，并向反应室内通入硅烷和氩气，硅烷在电场作用下发生分解，分解生成的硅单质沉积在第一单层结构上；对反应室施加电场，并向反应室内通入氧气，氧气在电场作用下与硅单质发生反应，反应生成的二氧化硅形成子层。本发明可提高芯片可靠性。

主权项

1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底的第一表面上依次形成缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；在所述P型半导体层上形成透明导电层；在所述凹槽内的N型半导体层上设置N型电极，在所述透明导电层上设置P型电极；在所述N型半导体层、所述N型电极的侧面、所述透明导电层、所述P型电极的侧面形成钝化保护层；其中，所述钝化保护层包括依次层叠的第一单层结构、叠层结构和第二单层结构，所述叠层结构包括依次层叠的至少两个子层，每个所述子层采用如下方式形成：对所述衬底所在的反应室施加第一功率的电场，并向所述反应室内通入硅烷和氩气，硅烷在电场的作用下发生分解，分解生成硅单质，沉积在所述第一单层结构上；对所述反应室施加第二功率的电场，并向所述反应室内通入氧气，氧气在电场的作用下与所述硅单质发生反应，反应生成二氧化硅，形成所述子层。