[发明专利]一种基于GexSi1-x可变晶格常数基体的红光半导体激光器

摘要

一种基于Ge_xSi_1‑x可变晶格常数基体的红光半导体激光器，激光器的结构从下至上依次包括：N面电极，锗衬底，应变缓冲层，锗硅基体层，缓冲层，下限制层，下波导层，量子阱和量子垒，上波导层，上限制层，势垒层，介质薄膜，欧姆接触层，P面电极；本发明的基于Ge_xSi_1‑x可变晶格常数基体的红光半导体激光器，在保证有源区激射波长变短的同时减小了量子阱的张应变，可解决超短波长红光激光器中面临的较大张应变有源区缺陷多的问题，同时也提高了该波段激光器的输出功率和光电转换效率。

主权项

1.一种基于Ge_xSi_1‑x可变晶格常数基体的红光半导体激光器，其特征在于，激光器所用外延片结构从下至上依次包括：N面电极(1)，P面电极(2)，Ge衬底(3)，应变缓冲层(4)，GeSi基体层(5)，GaInP缓冲层(6)，AlInP下限制层(7)，AlGaInP下波导层(8)，GaInP量子阱和AlGaInP量子垒(9)，AlGaInP上波导层(10)，AlInP上限制层(11)，介质薄膜(12)，GaInP势垒层(13)，GaAs欧姆接触层(14)。