[发明专利]一种基于外腔差频的快速可调谐中红外辐射源装置及实现方法在审

专利信息
申请号: 201910351725.8 申请日: 2019-04-28
公开(公告)号: CN109888607A 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 贺奕焮;徐德刚;王与烨;闫超;唐隆煌;姚建铨 申请(专利权)人: 天津市智慧物联信息技术研究院
主分类号: H01S3/094 分类号: H01S3/094;H01S3/108
代理公司: 天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226 代理人: 杨娥
地址: 300382 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供了一种基于外腔差频的快速可调谐中红外辐射源装置及实现方法,泵浦源采用Nd:YAG调Q激光器;泵浦光倍频晶体采用KTP晶体,倍频晶体切角满足Ⅱ类相位匹配条件,外腔差频晶体为BaGa4Se7晶体,对侧面进行光学抛光,晶体置于可旋转振镜平台之上,与计算机相连,采用计算机控制改变BaGa4Se7晶体以及KTP‑OPO中KTP晶体的外加电压,从而实现KTP‑OPO波长以及差频输出中红外辐射的波长快速调谐。本发明实现具有转换效率高、室温运转、调谐速度快、结构紧凑切易于实现的高性能中红外辐射源,同时通过电脑同时控制KTP‑OPO输出波长以及BaGa4Se7晶体的相位匹配条件实现中红外波长快速调谐。
搜索关键词: 差频 调谐 红外辐射源 外腔 相位匹配条件 倍频晶体 可调谐 波长 计算机控制 可旋转振镜 中红外波长 中红外辐射 调Q激光器 光学抛光 输出波长 外加电压 转换效率 泵浦光 泵浦源 晶体的 切角 侧面 输出 运转 计算机 电脑
【主权项】:
1.一种基于外腔差频的快速可调谐中红外辐射源装置,其特征在于:泵浦源采用Nd:YAG调Q激光器;泵浦光倍频晶体采用KTP晶体,倍频晶体切角满足Ⅱ类相位匹配条件,外腔差频晶体为BaGa4Se7晶体,晶体切角为θ=55.8°,晶体尺寸8×8×6mm3,对侧面进行光学抛光,晶体置于可旋转振镜平台之上,与计算机相连,采用计算机控制改变BaGa4Se7晶体以及KTP‑OPO中KTP晶体的外加电压,从而实现KTP‑OPO波长以及差频输出中红外辐射的波长快速调谐。
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