[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201910352401.6 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111863750B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 廖远宝 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰;邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括：提供包括原胞区和非原胞区的半导体衬底；在非原胞区上形成第一场氧和第二场氧，且两者之间具有间隙，在两个场氧及间隙上形成半导体层；对原胞区进行阱注入形成阱区；在原胞区内形成工作结构，在非原胞区上形成保护结构；在工作结构和保护结构上形成层间介质层，并在工作结构、第一场氧和第二场氧上方的层间介质层内形成接触孔，在层间介质层上形成与接触孔连接的金属互连层，通过金属互连层和接触孔连接工作结构和保护结构。通过第一场氧和第二场氧可以使得金属互连打开区域处于两个场氧之间的间隙上方区域，且由于该区域与原胞区的高度差仅为半导体层高度，因而可以降低半导体层被损坏的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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