[发明专利]一种加载于波导内的高电子迁移率晶体管太赫兹波调制器在审

专利信息
申请号: 201910352955.6 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN109991766A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 赵运成;张雅鑫;梁士雄;杨梓强 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G02F1/025 分类号: G02F1/025
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电磁功能器件技术领域,具体为一种加载于矩形波导内的高电子迁移率晶体管太赫兹波调制器。本发明将调制芯片加载到矩形波导内,调制单元个数可被大幅减少为几个,原本存在于大面阵结构中的寄生模式被有效抑制,从而提高器件的调制速率。采用波导加载的形式,调制芯片在波导内得到了有效的保护,器件的稳定性得到了很大的提高。本发明为透射式的太赫兹波调制器,太赫兹波被禁锢在波导中传输,相比于调控自由空间中发散的太赫兹波,调制芯片的调制效率更易提高。本发明的调制器拥有高达96%的调制深度以及2GHz以上的调制速率,通过在器件的波导端口连接增益天线等功能配件,该器件极易融合于太赫兹无线通信系统和太赫兹雷达成像系统。
搜索关键词: 波导 加载 太赫兹波调制器 调制芯片 调制 高电子迁移率晶体管 矩形波导 太赫兹波 器件技术领域 无线通信系统 波导端口 电磁功能 调制单元 调制效率 功能配件 寄生模式 雷达成像 有效抑制 增益天线 大面阵 调制器 透射式 传输 融合 调控
【主权项】:
1.一种加载于波导内的高电子迁移率晶体管太赫兹波调制器,其特征在于:包括矩形波导和调制芯片;所述矩形波导有输入和输出两个波导口,其腔体壁为金属材料;所述调制芯片以其面与波导口面平行的方式将矩形波导隔断;调制芯片的半导体衬底一侧,面向输出波导口且与矩形波导腔体壁相接;其人工微结构的所在面面向输入波导口,且人工微结构与对应的矩形波导腔体壁之间不直接接触,两者之间的距离≤500微米;矩形波导纵向左右两侧壁与调制芯片相接处,各有一个开口,用于外部控制电路与芯片上的正/负电压加载电极进行电气连接。
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