[发明专利]图像传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910353040.7 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110289274A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 鲸井裕 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杜文树 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种图像传感器，包括：半导体衬底，具有第一表面和接收入射光的第二表面；位于半导体衬底中的光电转换部分，响应于接收到入射光而产生与入射光的量对应的电荷并在其中累积电荷；位于半导体衬底的第一表面上的第一传输晶体管的栅极，第一传输晶体管在被导通时传输累积在光电转换部分中的电荷；位于半导体衬底的第一表面上的电荷存储部分，存储由第一传输器件从光电转换部分中传输的电荷；位于半导体衬底的第一表面上的第二传输晶体管的栅极，第二传输晶体管在被导通时传输存储在电荷存储部分中的电荷；位于半导体衬底中的遮光部分，以防止入射光穿过半导体衬底进入电荷存储部分。本公开还涉及一种图像传感器的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 传输晶体管 第一表面 电荷 图像传感器 电荷存储 光电转换 入射光 导通 传输存储 传输器件 第二表面 累积电荷 传输 遮光 制作 存储 穿过 响应 收入 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于包括：半导体衬底，具有第一表面和接收入射光的第二表面；位于半导体衬底中的光电转换部分，响应于接收到入射光而产生与入射光的量对应的电荷并在其中累积电荷；位于半导体衬底的第一表面上的第一传输晶体管，第一传输晶体管在被导通时传输累积在光电转换部分中的电荷；位于半导体衬底的第一表面上的电荷存储部分，存储由第一传输器件从光电转换部分中传输的电荷；位于半导体衬底的第一表面上的第二传输晶体管，第二传输晶体管在被导通时传输存储在电荷存储部分中的电荷；位于半导体衬底中的遮光部分，以防止入射光穿过半导体衬底进入电荷存储部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
