[发明专利]拍摄装置在审

专利信息
申请号: 201910353663.4 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN110556391A 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 佐藤好弘;平濑顺司 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 72002 永新专利商标代理有限公司 代理人: 吕文卓
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明用于减小成为噪声的原因的漏电流。本发明的拍摄装置具备:对光进行光电变换而生成信号电荷的光电变换部;表面含有第一半导体层的半导体基板;作为所述第一半导体层内的第一导电型的杂质区域并蓄积所述信号电荷的电荷蓄积区域;包含所述第一半导体层内的第一导电型的第一杂质区域作为源极或漏极的第一晶体管;位于所述电荷蓄积区域与所述第一晶体管之间的阻断结构。所述阻断结构包含:第二杂质区域,是所述第一半导体层内的第二导电型的杂质区域,位于所述电荷蓄积区域与所述第一杂质区域之间;第一电极,位于所述第一半导体层的上方,在平面视图中与所述第二杂质区域的至少一部分重叠,在所述电荷蓄积区域蓄积所述信号电荷的期间被施加恒定的第一电压。
搜索关键词: 杂质区域 半导体层 电荷蓄积区域 导电型 信号电荷 阻断结构 晶体管 蓄积 半导体基板 光电变换部 第一电极 光电变换 拍摄装置 平面视图 生成信号 电荷 恒定的 漏电流 减小 漏极 源极 噪声 施加
【主权项】:
1.一种拍摄装置,其特征在于,/n具备:/n光电变换部,对光进行光电变换而生成信号电荷;/n半导体基板,表面包含第一半导体层;/n电荷蓄积区域,是所述第一半导体层内的第一导电型的杂质区域,蓄积所述信号电荷;/n第一晶体管,包含所述第一半导体层内的第一导电型的第一杂质区域作为源极或漏极;以及/n阻断结构,位于所述电荷蓄积区域与所述第一晶体管之间;/n所述阻断结构包含:/n第二杂质区域,是所述第一半导体层内的第二导电型的杂质区域,位于所述电荷蓄积区域与所述第一杂质区域之间;以及/n第一电极,位于所述第一半导体层的上方,在平面视图中与所述第二杂质区域的至少一部分重叠,在所述电荷蓄积区域蓄积所述信号电荷的期间被施加恒定的第一电压。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下知识产权经营株式会社,未经松下知识产权经营株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910353663.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top