[发明专利]一种大尺寸超薄钽酸锂晶圆片的减薄方法在审
申请号: | 201910354224.5 | 申请日: | 2019-04-29 |
公开(公告)号: | CN110039382A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 沈浩;顾鑫怡;钱晓明 | 申请(专利权)人: | 天通控股股份有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;C30B33/10;C30B29/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314412 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种大尺寸超薄钽酸锂晶圆片的减薄方法。本发明提供了一种“大尺寸、超薄”钽酸锂晶圆片的减薄方法,属于半导体材料减薄技术领域。包括下列步骤:提供钽酸锂晶圆片,并用酸性腐蚀液腐蚀晶圆;采用不同型号砂轮对晶圆片进行分段式减薄,加工时调节砂轮转速、工件进给速度进行减薄。本发明可解决大尺寸超薄晶圆片加工过程中的碎片问题,通过采用逐级减薄方式,分阶段去除前一道留下的损伤层,提高了后工序的加工效率和加工质量。 | ||
搜索关键词: | 减薄 晶圆片 钽酸锂 半导体材料 砂轮 酸性腐蚀液 超薄晶圆 加工效率 减薄技术 砂轮转速 碎片问题 分段式 分阶段 片加工 损伤层 进给 晶圆 去除 加工 并用 腐蚀 | ||
【主权项】:
1.一种大尺寸超薄钽酸锂晶圆片的减薄方法,其特征在于:具体包括如下步骤:⑴ 提供待减薄的钽酸锂晶圆片;⑵ 用酸性腐蚀液腐蚀晶圆片,将晶片表面的脏污、颗粒物、有机物、及表面晶粉腐蚀脱落;晶片表面微裂纹的愈合,防止裂纹扩散,再进行去离子水清洗;⑶ 加工前开启冷却水,加工时选择合适砂轮转速,晶圆转速和砂轮进给速度进行减薄,加工钽酸锂晶片; ⑷ 采用逐级减薄方式,分阶段减薄至目标厚度,获得低损伤表面晶圆。
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