[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201910354383.5 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110783194A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 黄耀陞;孙宏彰;张毅敏;方子韦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法包括以下步骤。在横跨半导体鳍片的第一部分上形成虚设栅极结构。在横跨半导体鳍片的第二部分上形成掺杂的半导体层。在横跨掺杂的半导体层上形成介电层。介电层和掺杂的半导体层之间的界面实质上与半导体鳍片的顶面和侧壁的组合的轮廓共形。使用金属栅极结构替换虚设栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体鳍片 半导体层 掺杂的 虚设栅极结构 横跨 介电层 金属栅极结构 半导体元件 侧壁 顶面 共形 替换 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：/n形成一虚设栅极结构横跨于一半导体鳍片的一第一部分上；/n形成一掺杂的半导体层横跨于该半导体鳍片的一第二部分上；/n形成一介电层横跨于该掺杂的半导体层上，其中该介电层和该掺杂的半导体层之间的一界面实质上与该半导体鳍片的一顶面和复数侧壁的一组合的一轮廓共形；以及/n使用一金属栅极结构替换该虚设栅极结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
