[发明专利]一种隧穿场效应晶体管静态随机存储器单元的电路结构在审
| 申请号： | 201910355122.5 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110189780A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 吴秀龙;杨州;蔺智挺;彭春雨;黎轩;卢文娟;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隧穿场效应晶体管静态随机存储器单元的电路结构，包括8个N型隧穿场效应晶体管(NTFET)和4个P型隧穿场效应晶体管(PTFET)，在工作电压下为0.6V时，该结构通过读写分离结构增强了TFET SRAM的读能力，通过采用写辅助管提高写能力并降低了写功耗，又消除了TFET做SRAM传输管时出现的反向偏置电流问题，从而降低电路的静态功耗提高了电路的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 隧穿场效应晶体管 静态随机存储器单元 电路结构 电路 电流问题 反向偏置 分离结构 工作电压 静态功耗 传输管 辅助管 读写 功耗 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿场效应晶体管静态随机存储器单元的电路结构，其特征在于，所述电路结构包括8个N型隧穿场效应晶体管(NTFET)和4个P型隧穿场效应晶体管(PTFET)，所述8个NTFET晶体管依次是N1～N8，所述4个PTFET晶体管依次是P1～P4，其中：PTFET晶体管P1的源极与电源电压电连接，漏极与NTFET晶体管N1的漏极及PTFET晶体管P3的漏极电连接；PTFET晶体管P2的源极与电源电压电连接，漏极与NTFET晶体管N2的漏极及PTFET晶体管P4的漏极和NTFET晶体管N8的栅极电连接；NTFET晶体管N1的源极与NTFET晶体管N3的漏极电连接；NTFET晶体管N2的源极与NTFET晶体管N4的漏极电连接；PTFET晶体管P2及NTFET晶体管N2的栅极与PTFET晶体管P3，PTFET晶体管P1及NTFET晶体管N1的漏极电连接。PTFET晶体管P1及NTFET晶体管N1的栅极与PTFET晶体管P4，PTFET晶体管P2及NTFET晶体管N2的漏极电连接。NTFET晶体管N3、N4、N8的源极都与地电连接；PTFET晶体管P3和P4的源极分别NTFET晶体管N5和N6的源极电连接；NTFET晶体管N5和N6的漏极都与电源电压电连接；NTFET晶体管N7的源极与NTFET晶体管N8的漏极电连接；进一步的，位线AL1与PTFET晶体管P3及NTFET晶体管N3的栅极电连接；位线AL2与PTFET晶体管P4及NTFET晶体管N4的栅极电连接；写字线WL1与NTFET晶体管N5的栅极电连接；写字线WL2与NTFET晶体管N6的栅极电连接；读位线RBL与NTFET晶体管N7的漏极电连接；读字线RWL与NTFET晶体管N7的栅极电连接。
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