[发明专利]具有周期性微纳米级凹凸结构的金属软磁薄膜及其制备有效
| 申请号： | 201910355210.5 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110079760B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 汤如俊;王禹 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/28;C23C14/35;H01F41/18;H01F41/20 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 殷海霞 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属软磁薄膜技术领域，尤其涉及一种具有周期性微纳米级凹凸结构的金属软磁薄膜及其制备方法。本发明的具有周期性微纳米级凹凸结构的金属软磁薄膜，包括自下而上依次设置在基底上方且与基底形配合的金属缓冲层、软磁层和非磁性的抗氧化保护膜层，基底具有周期性微纳米级凹凸结构，金属缓冲层的厚度为5‑50nm；软磁层的厚度为3‑1000nm；抗氧化保护膜层的厚度为5‑50nm。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 周期性 纳米 凹凸 结构 金属 薄膜 及其 制备 | ||
【主权项】：
1.一种具有周期性微纳米级凹凸结构的金属软磁薄膜，其特征在于：包括自下而上依次设置在基底上方且与所述基底形配合的金属缓冲层、软磁层和抗氧化保护膜层，所述基底具有周期性微纳米级凹凸结构，所述金属缓冲层的厚度为5‑50nm；所述软磁层的厚度为3‑1000nm；所述抗氧化保护膜层的厚度为5‑50nm。
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