[发明专利]一种基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的IBC太阳能电池的方法

摘要

本发明的目的在于公开一种基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的IBC太阳能电池的方法，与现有技术相比，在制作P+发射极及N+背场过程中采用光刻掩膜技术，避免在电池工艺制作过程中引入晶格损伤，从而降低载流子复合速率；采用全绒面设计，可将光反射率达到极限最低化，极大地从光学管理角度优化电池效率；电池前表面的FFE结构与N型硅衬底形成pn结，使N+背场区以上的少子空穴被前发射极收集横向传输至P+发射极以上区域后受空穴浓度梯度影响再被注入至P+发射极，以致被P+发射极收集，实现本发明的目的。

主权项

1.一种基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的I BC太阳能电池的方法，其特征在于，它包括如下步骤：1)将单晶硅衬底经过去损伤层、清洗及制绒；2)采用光刻掩膜工艺和磷扩散工艺在绒面上制作N+背场和钝化层，去除P+发射极上的光刻胶层及减薄PSG；3)采用光刻掩膜工艺和硼扩散工艺在绒面上制作P+发射极和前表面发射极及钝化层，并刻蚀掉N+背场上的光刻胶层及减薄BSG；4)采用PECVD分步沉积减反射层；5)通过丝网印刷制作正电极及负电极，烧结后得到I BC太阳能电池。