[发明专利]基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线

摘要

本发明提供一种基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线，包括馈线结构、辐射结构、及馈电结构，天线的馈线结构从下往上依次为馈线下层金属地、馈线介质层，辐射结构包含多个辐射单元，本发明通过两种辐射结构激励起相位差为π/2的两种线极化波从而构成圆极化；本发明的天线单元结构可以抵消反射波在输入端口处的影响，抑制OSB，实现90°侧射；本发明采用SIIG馈线结合相应的辐射单元，单元尺寸与单元间距较小，可以实现小型化。

主权项

1.一种基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线，其特征在于：包括馈线结构(1)，辐射结构(2)及馈电结构(3)，所述天线的馈线结构(1)从下往上依次为馈线下层金属地(12)，馈线介质层(11)，其中馈线介质层(11)沿中轴线左右对称设置两个空气孔区(112)，两个空气孔区域(112)之间为中心传输带(111)；辐射结构(2)包含多个辐射单元，辐射单元包括激励水平极化波结构(21)以及激励垂直极化波结构(22)，二者的相对位置使激励的两个线极化波存在π/2的相位差，激励水平极化波结构(21)包括两个倾斜角度相同、倾斜方向相反的金属条，所述两个金属条的中点在传输带中轴线(113)上，所述两个金属条在传输带中轴线(113)上的间距d为二分之一个波导波长；激励垂直极化波结构(22)为成V形的金属条，其位于激励水平极化波结构(21)的两个金属条中间并偏离传输带中轴线(113)，馈线结构(1)与辐射结构(2)构成天线的辐射部分；所述馈电结构(3)从下往上依次包含馈电结构下层金属地(33)、馈电结构介质层(32)、上层金属(31)，馈电结构下层金属地(33)上开底层圆形槽(331)，馈电结构介质层(32)上与底层圆形槽(331)的位置对应处有贯穿馈电介质的金属化通孔(321)，上层金属(31)上与底层圆形槽(331)的位置对应处开顶层圆形槽(311)，贯穿馈电介质的金属化通孔(321)和顶层圆形槽(311)和底层圆形槽(331)三者圆心重合，贯穿馈电结构下层金属地(33)、馈电结构介质层(32)、上层金属(31)三层的SIW过渡结构金属化通孔(34)排布成SIW过渡结构，贯穿馈电介质的金属化通孔(321)和顶层圆形槽(311)和底层圆形槽(331)三者都位于SIW过渡结构内部，同轴探针插入贯穿馈电介质的金属化通孔(321)中，同轴探针突出馈电结构介质层(32)的部分由金属腔体(35)盖住；在SIW过渡结构和馈线结构的相交处，上层金属(31)的中轴线上开渐变形槽(312)，渐变形槽(312)沿从馈电结构(3)到馈线结构(1)的方向逐渐变宽，以与馈线结构(1)实现阻抗匹配；在上层金属(31)截止处，横向排列多个贯穿馈电结构介质层和馈电结构下层金属地的金属化通孔(36)，馈线结构的中轴线和馈电结构的中轴线重合。